177:全新内存技术和芯片叠加 (第2/2页)

几百块的人吗？

    实际上并不是的。

    这其中有三个问题在里面。

    第一个就是成本问题，虽然这个是小问题，但是厂家们不得不重视这个问题。

    第二个问题技术手机cpu根本用不到这么高带宽的内存。

    第三个问题就是HBM内存的延迟实在是太高了。

    就因为这三个因素厂家们不得不放弃HBM内存。

    曹莽所购买的HMBSR内存采用全新的设计，解决了HBM内存当前所有的问题。

    更低廉的制造成本，更低的读取写入延迟。

    曹莽购买的第二件产品就是kos存储内存技术。

    目前市面上采用的都是emmc和usf这两种内存。

    eMMC目前是最当红的便携移动产品解决方案，目的在于简化终端产品存储器的设计。

    由于NANDFlash芯片的不同厂牌包括三星、东芝或海力士、镁光等，但设计厂商在导入时，都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，过去并没有1个技术能够通用所有厂牌的NANDFlash芯片。

    这样内存唯一的优势就是便宜，它的缺点就是读写效率比较低。

    这种内存目前为止最高读取效率为400mb/s，写入效率是70mb/s。

    usf内存是2011年电子设备工程联合委员会，发布了第一代通用闪存存储标准，即UFS2.0的前身。

    不过第一代的UFS并不受欢迎，也没有对eMMC标准产生明显的影响。

    到了2013年，JEDEC在当年9月发布了UFS2.0的新一代闪存存储标准。

    UFS2.0闪存读写速度理论上可以达到1400MB/s，不仅比eMMC有更巨大的优势，而且它甚至能够让电脑上使用的SSD也相形见绌。

    于是后来逐渐在高端设备市场上取代eMMC，成为移动设备的主流标配。

    而实际上，UFS2.0共有两个版本，其中一个是HS-G2，也就是目前的UFS2.0。

    然而，另个一个版本则为HS-G3，可以称为UFS2.1，其数据读取速度将飙至1.5G/s，也就是UFS2.0的两倍。

    kos存储内存最好的读写效率可以达到30G/s，而且它还拥有更高的寿命和容量。

    曹莽购买的最后一项技术就是芯片叠加技术。

    这一项技术其实并不是什么先进的技术。

    并不是只有华威一家研究过这一项技术，早在五六年前英特尔和amd就拥有这项技术了。

    只是这两家通过叠加生产出来的cpu由于功耗过高不得不放弃这一种技术。

    曹莽所购买的芯片叠加技术能够解决功耗过高的问题吗？

    可能说能也可以说不能。

    因为能量恒守是不可改变的事情，两颗芯片叠加它的功耗注定会增加。

    曹莽所购买的技术只是降低了一部分芯片叠加后的功耗而已。

    这技术降低了大概48%左右的功耗。

    有了这项技术14纳米击败7纳米不是什么大问题。

    唯一的缺点就是功耗。

    对于这个问题曹莽的解决方法就是堆电池。

    大幅度增加电池的容量。

    对比研发光刻机增加电池容量简单许多。

    这也是解决芯片封禁最简单最快速的处理方法。

    而且也是成本最低的解决方法。